PECVD系統(tǒng) 增強型化學氣相沉積
PECVD系統(tǒng)簡介??
?PECVD系統(tǒng)是為了使傳統(tǒng)的化學氣象沉積（CVD）反應溫度降低，在普通 CVD 裝置的前端加入 RF 射頻感應裝置將反應氣體電離，形成等離子體，進而利用等離子體的活性來促進反應，所以這個系統(tǒng)稱為增強型化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）。該型號 PECVD 為我公司設計新款，綜合了國內(nèi)大多數(shù)廠家的管式 PECVD 系統(tǒng)的點，在 PECVD 前端加入了氣體預熱區(qū)，實驗證明此結構沉積速度快，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。
控制部分采用了我公司自主研發(fā)的實驗電爐全自動智能控制系統(tǒng)，使得操作更加簡便，功能更加強大。
PECVD系統(tǒng)主要特點
氣體預熱——增加前端氣體預熱區(qū)，沉積速度更快，成膜效果更好；
智能控制系統(tǒng)——加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統(tǒng)控制統(tǒng)一集中調(diào)節(jié)和操控，協(xié)調(diào)控制；
管內(nèi)壓力自動平衡——管內(nèi)壓力實時監(jiān)測，自動平衡管內(nèi)壓力。
智能氣路通斷——每路氣體均可定時通斷，省時省力；
射頻功率和開關定時控制——預先設定好功率的大小和打開與關閉的時間，系統(tǒng)自動運行；
爐膛移動速度可調(diào)——根據(jù)實驗要求，用戶可設定爐膛左右移動的速度可距離；
整機結構融為一體——移動方便，避免分散組裝的困擾。
技術參數(shù)
高真空PECVD設備主要技術參數(shù)：
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產(chǎn)品名稱 |
高真空PECVD設備 |
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滑軌管式爐部分（可選其他爐型：開啟式管式爐） |
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產(chǎn)品型號 |
SGM T1200-S5030-H |
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爐管尺寸 |
Φ50mmX1600mm |
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爐管材質(zhì) |
石英管 |
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加熱區(qū) |
300mm |
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工作溫度 |
1100℃ |
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設計溫度 |
1200℃ |
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溫控方式 |
K型熱電偶 |
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控制方式 |
觸屏控制，帶立搖臂，可以根據(jù)實際使用需求，調(diào)節(jié)溫控屏的角度，使用更方便 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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溫控保護 |
具有超溫和斷偶保護功能 |
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升溫速率 |
0/20oC/min ?，建議10oC/min |
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加熱元件 |
含鉬電阻絲 |
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工作電壓 |
AC?220V?單相?50HZ?（電路電壓用戶可選擇定制） |
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加熱功率 |
3KW |
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爐膛材料 |
氧化鋁多晶纖維 |
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爐體結構 |
爐體帶滑軌，可實現(xiàn)快速升溫和降溫 |
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法蘭接頭 |
標配配有兩個不銹鋼真空法蘭，已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥 |
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密封系統(tǒng) |
該爐爐管與法蘭之間采用硅膠O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復撤卸，氣密性好。 |
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殼體 |
不銹鋼殼體 |
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選配 |
輔助降溫風扇 |
真空系統(tǒng)部分
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名稱 |
真空系統(tǒng) |
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主要參數(shù) |
1.采用高真空分子泵組，極限真空度可達10-3pa 2.KF25快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連； 3.數(shù)字式真空顯示，其測量范圍為5×10-5- 1500mbar，測量精度高高 |
混氣氣路系統(tǒng)部分
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名稱 |
四路質(zhì)量流量計（三、四、五路混氣可選） |
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主要參數(shù) |
四通道精密質(zhì)量流量計：觸屏控制，數(shù)字顯示，自動控制。流量范圍流量范圍： 1.MFC 1-MFC4：0/1000sccm可調(diào) 2.一個混氣罐 3.4個不銹鋼針閥安裝在供氣系統(tǒng)的左側(cè)，可手動控制4種氣體； 4.進出氣口：3進1出 流量控制：手動旋轉(zhuǎn)式調(diào)節(jié) 連接方式：雙卡套連接 |
等離子電源部分
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名稱 |
500W等離子電源 |
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功率范圍 |
0-500W（連續(xù)可調(diào)） |
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工作頻率 |
13.56MHZ+0.005% |
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工作模式 |
連續(xù)輸出 |
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射頻輸出阻抗接口 |
N-type,female（50Ω） |
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功率穩(wěn)定度 |
≤2W |
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額定反射功率 |
70W |
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電源保護設置 |
DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護 |
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供電電壓/頻率 |
單相交流（187V-253V）50-60HZ |
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冷卻方式 |
風冷 |
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整機尺寸 |
88X483X550 MM |
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整機重量 |
13.5KG |
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認證 |
ISO認證、CE認證 |
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售后服務 |
質(zhì)保一年，終身保修（耗材類：高溫密封圈、爐管、加熱元件等不屬于質(zhì)保范圍） |
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PECVD系統(tǒng)等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)選型
| 項 目 | ??? 推薦選型 | |||||||
| ? 管式加熱爐體 | ? ?SGM 1200℃真空管式爐 | |||||||
| ? 爐膛溫區(qū) | ? ?單溫區(qū)管式爐、雙溫區(qū)管式爐、三溫區(qū)管式爐、滑軌管式爐 | |||||||
| ? 石英反應爐膛 | ? ?根據(jù)需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等規(guī)格可選。 | |||||||
| ? 真空系統(tǒng) | ??? 根據(jù)需求選擇不同真空效果的真空系統(tǒng)。有DZK10-1（極限真空0.1Pa），GZK10-3（極限真空0.001Pa），以及質(zhì)高真空機組（極限真空0.0001Pa）供選擇。 | |||||||
| ? 質(zhì)子流量供氣系統(tǒng) | ??? 根據(jù)需求選擇多路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)。有兩路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供選擇。 | |||||||
| ? 射頻等離子源 | ??? 根據(jù)需求選擇強度不同的射頻電源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射頻電源供選擇。 | |||||||
| 常見PECVD系統(tǒng)組合 | ?? 1. 1200度60滑軌式微型管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，300W射頻電源 | |||||||
| ??? SGM G1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 | ||||||||
| ?? 2. 1200度60滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 | ||||||||
| ??? SGM G1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| ?? 3. 1200度60雙溫區(qū)滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 | ||||||||
| ??? SGM G1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| ?? 4. 1200度60三溫區(qū)滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 | ||||||||
| ??? SGM G1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| ?? 5. 1200度60微型預熱爐，1200度60滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 | ||||||||
| ??? SGM G1200-60S，SGM G1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
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